[发明专利]一种软快恢复二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110476668.3 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113314617A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 贺晓金;王光磊;袁强;陆超;姚秋原;孟繁新;王博 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/329 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 汪劲松 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种软快恢复二极管；包括N区和P区，P区扩散在N区上端面中部的凹槽内，所述N区包括依次在N+区上生长的N缓冲区和外延区，所述P区包括P base区和P+区，P base区嵌入外延区的上端面中部，所述P+区扩散在P base区的两端，所述外延区的上端面外端制作有钝化层，外延区的中心制作有阳极金属层,N+区的底部制作有金属层。本发明通过超低掺杂浓度的N型漂移区和低掺杂浓度的P base区可以有效地可以有效的降低反向恢复电荷和反向恢复时间；N型漂移区下表面的N型缓冲层可以缓冲空间电荷区扩展，减缓了载流子反向抽取速度，使恢复特性得到软化；并且高掺杂的深结P+区可以有效抑制电场集中，降低器件反向漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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