[发明专利]一种功率芯片压接封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110476937.6 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113097186A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王亮;石浩;孙帅;陈陶;胡婷婷 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网山东省电力公司烟台供电公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/373;H01L21/60;H05K3/30;H05K1/18 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率芯片压接封装结构及其制造方法。功率芯片压接封装结构包括底板，底板上设置有多个IGBT芯片和多个覆铜陶瓷板；各个IGBT芯片和各个覆铜陶瓷板上均设置有金属柱，各金属柱的顶面位于同一水平面；柔性金属板，柔性金属板的底面覆盖并接触各金属柱的顶面；柔性金属板的顶面设置有多个辅助发射极引出端子，辅助发射极引出端子与柔性金属板电性接触；多层PCB板，多层PCB板位于柔性金属板上方，多层PCB板与多个辅助发射极引出端子电性接触；多层PCB板具有贯通多层PCB板的通孔；发射极电极，发射极电极位于多层PCB板上方，发射极电极具有多个压接臂，多个压接臂穿过多层PCB板的通孔与柔性金属板压接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 芯片 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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