[发明专利]进气装置及反应腔室在审
申请号: | 202110477358.3 | 申请日: | 2021-04-29 |
公开(公告)号: | CN113201725A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 秦海丰;史小平;兰云峰;王勇飞;张文强;王昊;任晓艳 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/509 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种进气装置及反应腔室,反应腔室包括腔室本体和喷淋头,喷淋头设置于腔室本体的顶部,进气装置用于和喷淋头连通,进气装置包括第一管道和进气组件;第一管道用于与喷淋头相连通,第一管道的侧壁开设有第一通孔,第一管道的进气端用于通入第一反应气体或清洗气体;进气组件包括组件本体,组件本体套设于第一管道的外侧,组件本体内具有环绕第一管道的至少两个通道,组件本体的外侧设有第二通孔,第二通孔与其相邻近的通道相连通,组件本体内设有第三通孔,第三通孔用于连通相邻的两个通道,组件本体内侧设有第四通孔,第四通孔通过第一通孔与第一管道相连通。上述方案能够解决反应腔室的清洗效果较差的问题。 | ||
搜索关键词: | 装置 反应 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的