[发明专利]半导体可调谐激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110479621.2 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113241585B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 郑婉华;杜方岭;王海玲;王明金 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/065 | 分类号： | H01S5/065;H01S5/12;H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体可调谐激光器及其制备方法，其中，半导体可调谐激光器包括位于同一衬底上、且依次相邻设置的第一光栅区、公共增益区、相位调节区、第二光栅区；其中，第一光栅区与第二光栅区具有不同的光栅周期；相位调节区的长度大于或等于公共增益区的长度的二分之一；第一光栅区、公共增益区、相位调节区、第二光栅区分别包括自衬底上依次形成的N型外延层、有源层、P型外延层和脊条。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 调谐 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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