[发明专利]一种TMR多阵列的深层缺陷弱磁检测装置在审
| 申请号： | 202110480017.1 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113203792A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 胡明慧;张显程;徐小雄;张程杰;严宇昂;轩福贞;涂善东 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/904 | 分类号： | G01N27/904;G01N27/83 |
| 代理公司： | 上海三和万国知识产权代理事务所(普通合伙) 31230 | 代理人： | 蔡海淳 |
| 地址： | 200237 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种TMR多阵列的深层缺陷弱磁检测装置，属检测领域。由双激励信号发生模块、功率放大器模块、TMR阵列检测探头、电源模块、前级放大电路、滤波电路、后级放大电路、锁相放大电路、数据采集模块及上位机组成；双激励信号发生模块输出两通道正弦信号或脉冲信号，经由功率放大器模块放大传输给TMR阵列检测探头中对称布置的差分式双激励线圈；TMR阵列检测探头中的TMR传感器阵列检测元件，采集被测金属材料构件深层缺陷处的感应磁场畸变信息信号，由前级放大电路、滤波电路、后级放大电路、锁相放大电路信号处理后，经数据采集模块将检测信号传输给上位机，显示缺陷处的弱磁场畸变图像，实现金属材料构件表面、次表面、深层缺陷的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tmr 阵列 深层 缺陷 检测 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东理工大学，未经华东理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110480017.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
