[发明专利]一种210大尺寸硅片的清洗方法在审
申请号: | 202110480063.1 | 申请日: | 2021-04-30 |
公开(公告)号: | CN113223934A | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 车晓东 | 申请(专利权)人: | 苏州协鑫光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/66;H01L21/67;B08B3/04;B08B3/12 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 215253 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种210大尺寸硅片的清洗方法,包括以下步骤:步骤1:制定超声检测标准并标准化,并使用锡箔纸来检测验证超声是否合格;步骤2:按溢流漂洗‑药洗‑药洗‑漂洗‑药洗‑溢流漂洗的方式制定清洗工艺,确保电导率正常,提升清洗效果,减少脏污;步骤3:选择双组份清洗药剂处理大尺寸硅片,试验数据说明其一次污片率低于单组份清洗剂,在大尺寸硅片上选用双组份清洗剂,药剂添加量根据小尺寸清洗机槽体尺寸来测算具体添加量,药剂采用A+B的方式添加,补加量和药剂添加量根据槽体尺寸以及过程取样测试PH值和游离碱度来计算添加。 | ||
搜索关键词: | 一种 210 尺寸 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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