[发明专利]一种雪崩探测器及制备方法有效
| 申请号： | 202110481115.7 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113224197B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 刘曼文;李志华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种雪崩探测器，包括：衬底层、倍增区、第一电极区、第二电极区及隔离结构；所述倍增区、所述第一电极区及所述第二电极区均形成在所述衬底层中；所述倍增区和所述第一电极区位于所述衬底层的中部，且所述倍增区位于所述第一电极区的下方，且厚度为2‑3微米；所述第二电极区为环状结构，且环绕所述倍增区和所述第一电极区；所述隔离结构位于所述第一电极区和所述第二电极区之间；所述第一电极区的掺杂类型与所述第二电极区的掺杂类型不同，且所述第一电极区的掺杂浓度大于所述第二电极区的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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