[发明专利]一种二维材料阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110481388.1 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113241406B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 孙堂友;涂杰;刘云;石卉;李海鸥;傅涛;刘兴鹏;王阳培华;肖功利;张法碧 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙) 45134 | 代理人： | 白洪 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维材料阻变存储器及其制备方法，相比于化学气相沉积制备的阻变存储器具有制备方便和对设备没有依赖性等优势，对于滴铸、旋涂等方法制备的阻变存储器又具有均匀性好，重复性好，制备简单等优势。利用本发明所述方法制备的二维材料阻变存储器所展示了6个数量级的开关比，相比于其他传统材料在几十纳米以下表现出的2到3个数量级具有明显优势，并且高于基于滴铸法和旋涂法制备的二维材料阻变存储器所展示的4到5个数量级，在制备简单、对设备依赖性不高的情况下能够达到与化学气相沉积所制备的二维材料阻变存储器(7个数量级)相似的开关比，在这样的高开关比下阻变存储器还具有着多级储存的潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 材料 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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