[发明专利]一种SiC半导体组件的制作方法在审
| 申请号： | 202110482707.0 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113224132A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李隆盛;洪建中;李传英 | 申请（专利权）人： | 上海瀚薪科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201799 上海市青浦区青平公*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体组件技术领域，具体地说，涉及一种SiC半导体组件的制作方法主要包括取表面生长有SiC外延层的SiC衬底，在SiC外延层上生长一层第一掩膜层，并在第一掩膜层上端面蚀刻出定义区，在定义区内向SiC外延层内部植入深层P阱，植入深层P阱后在定义区内部沉积一层氧化物和多晶硅，再通过蚀刻形成第一侧壁，通过第一侧壁向SiC外延层内部植入间层P阱，在有第一侧壁的间层P阱内沉积一层多晶硅后蚀刻出第二侧壁，并通过第二侧壁向SiC外延层内部植入浅层P阱，向有第一侧壁和第二侧壁的定义区内部再沉积一层多晶硅，在多晶硅表面上一层光阻，然后在定义区形成后续P+离子植入的遮蔽膜。该发明有效的提高了SiCMOSFET的耐压性能，且MOSFET可做的更小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 半导体 组件 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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