[发明专利]一种提高锆合金表面微弧氧化成膜速率的方法有效
| 申请号： | 202110483035.5 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113355715B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 聂照;钱辰;邓泽;刘磊;董帅;董杰 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 周一新 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高锆合金表面微弧氧化成膜速率的方法，属于表面处理技术领域。该方法使用变化的频率进行锆合金微弧氧化，微弧氧化时间在1–2min之前使用的微弧氧化脉冲频率为100–1000Hz，在1–2min之后使用的微弧氧化脉冲频率为10000–30000Hz。本发明通过改变频率对锆合金表面的微弧氧化成膜速率进行控制，区别于增大电流密度提高微弧氧化的成膜速率。本发明仅通过改变频率即可实现提高微弧氧化膜层的成膜速率，操作简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 合金 表面 氧化 速率 方法 | ||
【主权项】：
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