[发明专利]一种倒装LED芯片及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202110483568.3 申请日: 2021-04-30
公开(公告)号: CN113270524A 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 黄剑锋 申请(专利权)人: 广东德力光电有限公司
主分类号: H01L33/32 分类号: H01L33/32;H01L33/14;H01L33/40;H01L33/64
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 颜希文;宋亚楠
地址: 529000 *** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及LED芯片技术领域,公开了一种倒装LED芯片,包括衬底和多个串联连接的GaN基外延层单元,GaN基外延层单元包括镀设有N型电极层的N型GaN层和镀设有P型电极层的P型GaN层,上一个GaN基外延层单元的N型电极层通过连接电极层与下一个GaN基外延层单元的P型电极层连接,P型电极层、连接电极层和N型电极层均包括从上至下依次设置的Ti金属层、Ni金属层或Ni合金层、Au金属层、以及由n层Sn金属层和n层Au金属层周期性交错设置形成的SnAu基合金层。本发明还公开了该倒装LED芯片的制作方法,采用本发明能减少电极层数,提高生产效率,同时正负电极之间的高低差减少,有利于后续的焊接以及芯片的散热,且提高电极层的抗锡渗透性,且电极层的内部结构牢固。
搜索关键词: 一种 倒装 led 芯片 及其 制作方法
【主权项】:
暂无信息
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