[发明专利]一种二维材料制备方法有效
| 申请号： | 202110483633.2 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113201726B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王佩剑 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/50;C23C16/52;C23C16/30 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种二维材料制备方法，属于二维材料制备的技术领域，通过将基片载置在基片台上，将小片待制备二维材料固定到所述基片中心位置作为籽晶，将从位于基片中心正上方的气流管路处向下通入气态源从而使在籽晶表面均匀扩散，获得各个方向生长均匀的二维材料。使用本发明提供的二维材料制备方法可以可控、可重复地生长大面积直至晶圆级的二维材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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