[发明专利]纳米晶二氧化钛功能薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202110484165.0 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113235048A | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 薄铁柱;刘辉;马婧;杨金慧;李庆;蔡华;廉姣;王辰;刘畅 | 申请（专利权）人： | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 张晓萍;刘铁生 |
| 地址： | 100024*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明是关于一种纳米晶二氧化钛功能薄膜及其制备方法。该纳米晶二氧化钛功能薄膜，包括交替层叠设置的二氧化钛膜层和晶粒生长抑制膜层，所述的晶粒生长抑制膜层为无定形结构的金属氧化物层，所述晶粒生长抑制膜层的厚度为0.5～1.5nm。本发明通过在二氧化钛薄膜中引入晶粒生长抑制膜层，起到晶粒生长抑制剂的作用，可有效控制二氧化钛晶粒的生长，使二氧化钛的晶粒尺寸控制在设定的范围内，同时晶粒生长抑制膜层在整个薄膜结构中占比较低，对二氧化钛薄膜的性能影响不大，可最大程度上发挥出二氧化钛薄膜的性能优势。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 氧化 功能 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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