[发明专利]一种二维二硒化钯柔性自驱动宽光谱光电传感器及其制备方法有效
申请号: | 202110485167.1 | 申请日: | 2021-04-30 |
公开(公告)号: | CN113193070B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 杜君莉;夏大伟;史书怀;马云瑞;谢伟 | 申请(专利权)人: | 国网河南省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司 |
主分类号: | H01L31/112 | 分类号: | H01L31/112;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 郑州知己知识产权代理有限公司 41132 | 代理人: | 向长丽 |
地址: | 450052 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种二维二硒化钯柔性自驱动宽光谱光电传感器及其制备方法,该光电传感器包括以下部分:柔性栅介质层、源电极、二维二硒化钯、绝缘层、漏电极、聚甲基丙烯酸甲酯、柔性透明衬底。本发明是通过简单、快速的方法制备了所述的光电传感器,通过引入静电场对二硒化钯进行原位掺杂形成同质结,从而构筑了柔性光电传感器,由于二硒化钯对红外光和可见光的宽吸收范围和光电传感器结构的合理设计,该柔性光电传感器可实现自驱动宽光谱探测,而且制得的光电传感器结构简单,制备工艺难度小,适合应用于工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 二维 二硒化钯 柔性 驱动 光谱 光电 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的