[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110485813.4 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113224172B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 刘家昌;刘哲钦;曹曙光;范文志 | 申请（专利权）人： | 合肥维信诺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 范坤坤 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制备方法，该薄膜晶体管的制备方法包括：提供衬底，在衬底上依次形成有源层和栅绝缘层，栅绝缘层位于有源层远离衬底一侧，且栅绝缘层覆盖有源层；在栅绝缘层远离衬底一侧依次形成第一金属层和第二金属层，第一金属层和第二金属层的材料不同；采用干刻法刻蚀第二金属层形成第二栅极，并暴露出第一金属层；采用湿刻法刻蚀第一金属层形成第一栅极。相对于干刻法，湿刻法对位于第一栅极下方的栅绝缘层的损伤较小，有利于保证栅绝缘层表面的均匀性，因此在通过栅绝缘层向有源层注入离子形成源极和漏极时，能够提高离子注入的均一性，使得被注入离子的有源层导体化更加均匀，进而有利于提高薄膜晶体管的电性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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