[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202110486421.X | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113206010B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 丁文波;叶甜春;罗军;赵杰;薛静 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H10B41/35;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐华 |
| 地址： | 510535 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底的第一表面具有第一区域、第二区域和第三区域；在所述第三区域形成浮栅和控制栅；在所述第一表面内形成源极和漏极；形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述第一区域和所述第二区域；形成第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述控制栅的侧壁和所述浮栅的侧壁；其中，在形成所述第一氧化层前，至少对所述第一区域进行非晶化离子注入，将所述第一区域非晶化，以使得所述第一氧化层的厚度大于所述第二氧化层的厚度。本方案可以实现在同一道工艺下在侧壁以及正面生成不同厚度的氧化膜，同时可以提高半导体器件的击穿电压，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
