[发明专利]一种极性相异的钝化接触结构及电池、制备工艺、组件和系统

摘要

本发明公开一种极性相异的钝化接触结构及电池、制备工艺；该极性相异的钝化接触结构包括硅衬底、设于硅衬底至少一面的电介质层、设于电介质层表面且掺杂极性相异的第一、第二多晶硅掺杂层，设于第一多晶硅掺杂层与第二多晶硅掺杂层之间的多晶硅层，设于第一多晶硅掺杂层表面、掺杂极性相同且掺杂浓度大于第一多晶硅掺杂层的第三多晶硅掺杂层，设于第二多晶硅掺杂层表面、掺杂极性相同且掺杂浓度大于第二多晶硅掺杂层的第四多晶硅掺杂层；第一、第三多晶硅掺杂层的厚度之和大于多晶硅层，第二、第四多晶硅掺杂层的厚度之和大于多晶硅层。该极性相异的钝化接触结构能降低金属接触复合及接触电阻，提高电池的短路电流和双面率，提高光电转换效率。