[发明专利]一种带有钝化接触结构的IBC太阳电池的制备方法及电池、组件和系统在审
申请号: | 202110486519.5 | 申请日: | 2021-04-30 |
公开(公告)号: | CN115274913A | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 包杰;沈承焕;季根华;陈嘉;杜哲仁;陆俊宇;林建伟 | 申请(专利权)人: | 泰州中来光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人: | 林建军;李红 |
地址: | 225500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体公开一种了带有钝化接触结构的IBC太阳电池的制备方法及电池;其制备方法包括如下步骤:制绒、刻蚀背面、生长隧穿氧化层和多晶硅结构、丝网印刷掺硼硅浆区域和掺磷硅浆区域、热处理、双面沉积钝化减反膜、背面激光局域开膜、背面沉积金属层、丝网印刷金属电极、快速热处理及去除金属层。该带有钝化接触结构的IBC太阳电池的制备方法能有效克服现有钝化接触结构的IBC太阳电池存在的漏电风险大、工艺复杂、流程多、产能低、成本高,难以兼容产业化方面的缺陷。 | ||
搜索关键词: | 一种 带有 钝化 接触 结构 ibc 太阳电池 制备 方法 电池 组件 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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