[发明专利]一种正面局域钝化接触电池的制备工艺及电池、组件和系统

摘要

本发明涉及一种正面局域钝化接触电池的制备工艺及电池；该正面局域钝化接触电池的制备工艺包括：在硅衬底的正面制备正面电介质层；采用掺杂硼的硅浆在正面电介质层的表面进行选择性掺杂处理；对硅衬底的正面进行硼掺杂处理，以制得间隔布置于硅衬底正面的p+发射极、位于相邻两p+发射极之间且局域布置于硅衬底正面的正面电介质层及叠设于正面电介质层表面的重掺杂p+多晶硅层；对硅衬底的背面进行刻蚀清洗；再在硅衬底背面依次制备背面电介质层和n+多晶硅层；钝化处理以制备背面、正面钝化层；金属化处理以制得背面、正面金属电极。该制备工艺进一步简化了电池正面的局域钝化接触结构的制备流程，生产成本低、生产效率高，适合大规模量产。