[发明专利]一种锂离子电池用隔膜的表面直接生长负极的方法在审
| 申请号： | 202110488019.5 | 申请日： | 2021-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN113328200A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 李美成;刘燊;牛凯;陈帅霖;刘乐浩;张来豫 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | H01M50/403 | 分类号： | H01M50/403;H01M50/46;H01M4/139;H01M50/437;H01M50/44;H01M10/0525 |
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| 地址： | 102206*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种隔膜表面直接生长负极材料的制备方法，该方法包括将活性材料和碳材料溶于去离子水中进行超声搅拌，并将该溶液经过旋涂法均匀涂覆于隔膜表面一侧，通过干燥、烧结，制备得到了只有单侧生长负极材料的隔膜。该方法操作步骤极其简单，制备而得的隔膜电极可直接应用于锂离子电池，相比传统锂离子电池制备工艺而言，省去了负极极片的制备步骤，且使用旋涂法生长的活性物质分散更加均匀，厚度也相比传统工艺较小，更利于锂离子的嵌入和脱出；此外，由于隔膜作为离子传输体系的一部分，相对于生长在集流体铜箔上，将活性物质直接生长在隔膜上更利于离子扩散、传输，可有效减少离子扩散路径，从而提高电池的大倍率充放电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锂离子电池 隔膜 表面 直接 生长 负极 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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