[发明专利]半导体器件结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110488662.8 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113241336A | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 孙访策 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件结构及其形成方法，所述半导体器件结构包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层包括至少两个第一附着部及至少两个第二附着部，两个所述第二附着部相邻，并且相邻的两个第二附着部的两侧分别设置有一个所述第一附着部，所述第二绝缘层包括多个第三附着部，所述第三附着部与所述第一附着部和所述第二附着部在所述第一方向上平行，并且所述第三附着部与所述第一附着部和所述第二附着部在所述第一方向上交错排布，如此，在导电焊盘形成时，可以依附所述第一附着部、所述第二附着部和所述第三附着部，从而可以避免导电焊盘中出现空洞缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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