[发明专利]氮化物发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 202110489422.X | 申请日： | 2021-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN113161456A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张国华 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/02;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种氮化物发光二极管及其制作方法，所述氮化物发光二极管，包含衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层，低温三维氮化物层，u型氮化物层，n型氮化物层、发光层、p型氮化物层，其特征在于：所述低温三维氮化物层和u型氮化物层之间设置有低温p型二维氮化物层，所述低温p型二维氮化物层的掺杂浓度为1E17~1E20。本发明通过在低温三维氮化物层和u型氮化物层之间设置有低温p型二维氮化物层，解决因底层高温生长引起的翘曲大而导致的发光亮度不均匀的问题，提升氮化物发光二极管的发光均匀性，提升氮化物发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门三安光电有限公司，未经厦门三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110489422.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
