[发明专利]一种高均匀度脉冲强磁场发生装置及方法有效
| 申请号： | 202110491170.4 | 申请日： | 2021-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN113325351B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 韩小涛;魏文琦;刘沁莹;万昊;袁乐 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/387 | 分类号： | G01R33/387;G01R33/3875 |
| 代理公司： | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人： | 邓彦彦;廖盈春 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高均匀度脉冲强磁场发生装置及方法，包括：主磁体线圈为多层线圈，其连接主磁体电路，用于产生主磁场；主磁场在其磁场空间的任意时间点上均存在不均匀分量；匀场线圈连接匀场电路，产生补偿磁场；补偿磁场对主磁场预设空间区域的不均匀分量进行补偿，使得主磁场在预设空间内相对均匀；预设空间与补偿磁场的作用空间相关；匀场线圈包括串联的两个线圈，之间有空隙，结构尺寸且绕向相同，采用通电圆环结构；控制模块实时测量主磁体线圈中的电流和匀场线圈中的电流，闭环反馈调节匀场线圈的电流，以实现对主磁场的动态均匀补偿。通过匀场线圈产生磁场能够在目标区域内进行精确的匀场补偿，使得磁场均匀度实现一个数量级以上的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 均匀 脉冲 磁场 发生 装置 方法 | ||
【主权项】：
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