[发明专利]半导体元胞结构在审
| 申请号： | 202110491421.9 | 申请日： | 2021-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN113270503A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 袁强;古进;王博;贺晓金;陆超;姚秋原 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 张祥军 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种二极管元胞结构，包括N+衬底，N+衬底的背面设有背金属层，N+衬底的正面依次设有N‑外延区、栅氧层、多晶硅、金属化层；所述N‑外延区的正面中部嵌入有P型基区，金属化层的背面设有凸起部，凸起部嵌入P型基区，凸起部周围设有N+区，N+区和P型基区的正面均被栅氧层覆盖。采用本发明的二极管元胞结构的二极管芯片，相比于PN结结构，具备导通电压更低、反向恢复时间更短等优点；相比于肖特基二极管，具有高温特性好、漏电小、正温度系数等优点；另外，本发明导通压降小，能耗低，产热量小，耐用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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