[发明专利]一种超薄衬底生长碳化硅单晶的有效方法在审
| 申请号： | 202110493961.0 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113293437A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 李祥彪;仲崇贵 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/20 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 许洁 |
| 地址： | 226000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超薄衬底生长碳化硅单晶的有效方法，通过在超薄碳化硅单晶衬底的背面粘接碳化硅多晶片的有效方法，提高衬底片厚度，实现超薄衬底生长碳化硅单晶，首先在超薄碳化硅单晶衬底的背面粘接碳化硅多晶片，然后将粘接好的碳化硅复合衬底多晶片一面粘在石墨坩埚盖内侧，单晶生长面朝向石墨坩埚内，即可进行物理气相传输法生长碳化硅晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 衬底 生长 碳化硅 有效 方法 | ||
【主权项】：
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