[发明专利]半导体存储装置在审

专利信息
申请号: 202110494881.7 申请日: 2017-07-05
公开(公告)号: CN113241348A 公开(公告)日: 2021-08-10
发明(设计)人: 内海哲章 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L27/11519 分类号: H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11578
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 实施方式提供配线的布局容易的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括:半导体基板;多个晶体管,形成于所述半导体基板的上表面,沿着第1方向排列,且最小周期为第1周期;积层体,设置于所述半导体基板上且具有多片电极膜;第1触点,下端连接于所述电极膜;及第2触点,贯通所述积层体,且下端连接于所述晶体管的源极、漏极中的一个。所述积层体的第1部分的形状为在每个所述电极膜形成着阶面的阶梯状。在所述第1部分,沿着所述第1方向设定着第1区域及第2区域。配置于所述第2区域的所述阶面的所述第1方向上的长度比所述第1周期长。配置于所述第1区域的所述阶面的所述第1方向上的长度比所述第1周期短。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
暂无信息
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