[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202110494944.9 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN115312458A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 赵君红 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括衬底和衬底上的第一鳍部材料层，包括第一器件区和第二器件区；在第一器件区的第一鳍部材料层上形成核心层；在核心层侧壁形成第一掩膜侧墙；以第一掩膜侧墙和核心层为掩膜刻蚀第一鳍部材料层，形成初始鳍部；在初始鳍部露出的基底上形成第二鳍部材料层，第二鳍部材料层和第一鳍部材料层材料不同；形成第二鳍部材料层后去除核心层；去除核心层后，在第一掩膜侧墙的侧壁形成第二掩膜侧墙；去除第一掩膜侧墙；去除第一掩膜侧墙后，以第二掩膜侧墙为掩膜刻蚀初始鳍部和第二鳍部材料层，初始鳍部图形化为第一鳍部，第二鳍部材料层图形化为第二鳍部。本发明选取不同的鳍部材料，满足不同器件的性能需求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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