[发明专利]一种无底层取向硅钢及其制备方法有效
| 申请号： | 202110495129.4 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113215374B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 刘宝志;张航;孙振东;刘瑞祥;张艳芳;李艳霞;贺海政;李源 | 申请（专利权）人： | 包头市威丰稀土电磁材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C21D8/12 | 分类号： | C21D8/12;C21D1/30;C21D1/26;C21D1/74;B23K26/38 |
| 代理公司： | 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 | 代理人： | 尉月丽 |
| 地址： | 014060 内蒙古自治区包头市*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无底层取向硅钢的制备方法，包括以下步骤：S1、坯料预处理、S2、脱碳退火、S3、涂覆隔离剂、S4、高温退火、S5、拉伸热平整和S6、激光去除底层，所述激光去除底层的工艺参数为：激光400‑500W，重复频率100‑150kHz，振镜扫描速度6000‑7000mm/s。本发明利用激光刻痕的物理方法制备了无底层取向硅钢，代替了传统的用酸去除取向硅钢涂层或硅酸镁底层，制备的取向硅钢表面光亮，不含涂层或硅酸镁底层，同时通过退火补偿了激光制备过程中对钢带产生的塑性变形，制备的无底层取向硅钢，磁性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 底层 取向 硅钢 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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