[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
申请号: | 202110495531.2 | 申请日: | 2015-08-21 |
公开(公告)号: | CN113257766A | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | 栾竟恩 | 申请(专利权)人: | 意法半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/29;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/495;H01L25/065 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 傅远 |
地址: | 新加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本公开的实施例涉及半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括:裸片附接焊盘;钉头凸点,位于所述裸片附接焊盘上并且与所述裸片附接焊盘直接接触;第一裸片,位于所述钉头凸点上并且与所述钉头凸点电耦合;以及导电附接材料,位于所述裸片附接焊盘和所述第一裸片之间。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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