[发明专利]用于执行极紫外光刻工艺的系统和方法在审
| 申请号： | 202110495908.4 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113267963A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈泰佑;克夏格;刘国安;谢劼;简上杰;张广兴;林启德;陈立锐;刘恒信;吴忠纬;吴志强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 光刻系统利用锡滴生成用于光刻的极紫外辐射。光刻系统用激光照射液滴。液滴变成等离子体，并发出极紫外辐射。光刻系统检测锡滴对聚光镜的污染，并调节缓冲流体的流量以减少污染。本申请的实施例提供了用于执行极紫外光刻工艺的系统和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 执行 紫外 光刻 工艺 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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