[发明专利]一种氧化铂电极及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 202110496762.5 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113278935B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 沈月;闻明;许彦亭;李思勰;王传军;巢云秀;周利民;施晨琦;张仁耀 | 申请（专利权）人： | 昆明贵研新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58;G01N27/30;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 | 代理人： | 李义敢 |
| 地址： | 650000 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化铂电极及其制备方法和用途，所述氧化铂电极包含铂基材和三维纳米枝晶状氧化铂溅射层，溅射层的平均晶粒尺寸5～15nm、最大枝晶长度50～500nm、厚度0.5～2μm。所述制备方法包括：1)铂基材预处理；2)铂靶材制备及安装；3)磁控溅射法制氧化铂溅射层；4)电极热处理，制得氧化铂电极。该方法不仅简单易操作，而且制备的氧化铂电极具有附着力好、作为催化剂的比表面积及电催化活性好等优点，可应用于核工业领域恶劣环境中的氢浓度监测传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 电极 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
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