[发明专利]一种GaN微波芯片的等离子体清洗方法在审
| 申请号： | 202110498143.X | 申请日： | 2021-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN113245306A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 王静辉;崔健;黎荣林;段磊;郭跃伟 | 申请（专利权）人： | 河北博威集成电路有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00;B08B3/08;B08B3/12;B08B13/00 |
| 代理公司： | 河北智酷知创知识产权代理事务所(普通合伙) 13157 | 代理人： | 武哲 |
| 地址： | 050000 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaN微波芯片的等离子体清洗方法，涉及微波芯片制造技术领域。一种GaN微波芯片的等离子体清洗方法，其主要分为以下步骤：步骤一：将GaN微波芯片置入含有清洗剂的清理槽中使用超声清理设备对其进行预清洗；步骤二：将预清洗完毕的GaN微波芯片放入真空室中，利用真空泵对其真空室进行抽真空操作，真空室内部气压保持在13.3‑53.2Pa；步骤三：向真空室中导入原料气体；步骤四：对真空室内部的阴阳电极上接入高频电压。本发明通过在等离子清洗前进行超声波预清洗，能够将芯片的表面较大的颗粒物质进行清除在再使用等离子设备进行清理，进行预清理后再进行等离子清理时仅需15‑30即可形成致密的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 微波 芯片 等离子体 清洗 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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