[发明专利]一种三维解耦力触觉传感器及MEMS制备方法有效

专利信息
申请号: 202110499184.0 申请日: 2021-05-08
公开(公告)号: CN113280967B 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 刘超然;陆稞;董林玺;车录锋;王高峰 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: G01L5/165 分类号: G01L5/165;B81C1/00;B81B7/02
代理公司: 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 代理人: 周希良
地址: 310018 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种三维解耦力触觉传感器,包括玻璃基底和设于玻璃基底上的敏感块;以敏感块的中心为原点、长宽高作为XYZ轴,敏感块的X轴正向方和Y轴正方向均设有位移电极组件,敏感块的X轴负方向和Y轴负方向均设有支撑组件;敏感块的Z轴正方向设有顶电极,Z轴负方向设有底电极;位移电极组件包括位移基板、两个弹性梁、U形支撑侧台和限位块,位移基板设有上电极;玻璃基底内设有下电极;上电极与相应的下电极、顶电极与底电极形成平行板电容器;敏感块受力可改变平行板电容器的电容值。本发明的传感器体积小,通过受力时平行板电容器组电容值的改变值的不同,测量和确定所受力的大小和方向,灵敏度高,能够实现输入与输出的解耦。
搜索关键词: 一种 三维 解耦力 触觉 传感器 mems 制备 方法
【主权项】:
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