[发明专利]一种硅基光探测器以及制备方法、电子设备有效
| 申请号： | 202110502234.6 | 申请日： | 2021-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN113380905B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 王景洋;杨妍;孙富君;欧祥鹏;唐波;张鹏;刘若男;李彬;李志华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/107;H01L31/18;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅基光探测器以及制备方法、电子设备，涉及硅基器件技术领域，用于提供一种结构简单、光响应度和量子效率较高的硅基光探测器。包括：具有脊型顶层硅的SOI基底；其中，脊型顶层硅包括基部以及形成在所述基部上的脊部；形成在脊部中的N型掺杂区，以及至少形成在基部中的P型掺杂区；其中，N型掺杂区包括N型重掺杂区以及形成在N型重掺杂区两侧的N阱，P型掺杂区包括P阱以及形成在P阱两侧的P型重掺杂区，且N型重掺杂区域与P阱之间形成有超浅结；形成在P型重掺杂区上的阳极，以及形成在N型重掺杂区上的阴极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基光 探测器 以及 制备 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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