[发明专利]场效晶体管结构及其制造方法、芯片装置有效
| 申请号： | 202110502422.9 | 申请日： | 2021-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN113113473B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 任炜强 | 申请（专利权）人： | 深圳真茂佳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/417;H01L23/367;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 吴珊 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种场效晶体管结构及其制造方法、芯片装置，晶体管包括位于底部的漏极外延层、位于顶部的源极层以及嵌入于漏极外延层内的源极延伸倒鳍与栅极;栅极排列在源极延伸倒鳍之间,栅极两侧形成有成对由源极层至漏极外延层内部并联的对称型沟道;优选示例中,栅极两侧的沟道上方还形成有成对由源极层至漏极外延层并联的对称型领域电阻;优选示例中,漏极外延层在对应栅极的底部部位形成栅下浮空反极型结;优选示例中,漏极外延层在对应源极延伸倒鳍的底部部位形成屏蔽栅底部浮空反极型柱底结。本发明首创了双倒半鳍浮空超结栅式场效晶体管(DRFJ MOSFET)架构,具有衬底背面漏极与顶面源极电子流均匀化或帮助均匀化的增益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 及其 制造 方法 芯片 装置 | ||
【主权项】：
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