[发明专利]一种纳米压印方法在审
| 申请号： | 202110502999.X | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN113126428A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 梅晶晶;罗群;刘国栋;刘娉娉;邱晓斌;李伟成;陈健;占炎林;黄豆;程诗云 | 申请（专利权）人： | 上海悠睿光学有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 200135 上海市浦东新区自由贸*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米压印方法，包括以下步骤：S1，衬底准备；S2，在所述衬底的表面整面旋涂光刻胶；S3，使用掩膜版，对所述光刻胶进行曝光处理，所述掩膜版上设有透光区，所述衬底上正对所述透光区的区域为需要压印图案区域；S4，使用显影液将曝光后的光刻胶清除，以使正对所述透光区的光刻胶在显影后露出衬底表面；S5，在除胶后的区域进行UV胶填充；S6，使用模具对UV胶的表面进行紫外压印，所述模具朝向UV胶的一面、对应UV胶的位置设有微结构；S7，待步骤S6压印成型后，进行脱模；S8，使用显影液将UV胶外围的光刻胶清除。本发明能够解决现有技术在局部区域进行压印时容易出现溢胶现象的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 压印 方法 | ||
【主权项】：
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