[发明专利]红外探测器、混成芯片及其背减薄划痕处理方法在审
| 申请号： | 202110503440.9 | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN113471069A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李海燕;曹凌霞 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L27/144;H01L31/18 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 张然 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种红外探测器、混成芯片及其背减薄划痕处理方法。红外探测器混成芯片背减薄划痕处理方法，包括：将红外探测器混成芯片减薄至预设厚度；去除减薄至预设厚度的红外探测器混成芯片中光敏芯片的边缘区域；将去除光敏芯片边缘区域的红外探测器混成芯片磨抛至目标厚度，预设厚度大于目标厚度。采用本发明，通过将红外探测器混成芯片减薄至预设厚度，实现大部分光敏芯片厚度的去除，混成芯片因一部分的应力释放面型情况会得到优化，整体平面度会得到提高。另外，增加刻蚀或腐蚀工艺，形成光滑的光敏芯片器件边缘，降低在后续磨抛工艺中出现材料渣、划痕的可能性，同时通过几十微米厚度的去除，去除前面减薄过程中出现的划道。 | ||
| 搜索关键词： | 红外探测器 混成 芯片 及其 背减薄 划痕 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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