[发明专利]超结功率MOSFET的制备方法在审
| 申请号： | 202110504281.4 | 申请日： | 2021-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN113327976A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 雷秀芳;姜春亮;赵浩宇;李伟聪;林泳浩 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开一种超结功率MOSFET的制备方法，该方法经多次外延生长，每次外延生长后进行单排或多排离子注入，然后经高温推进在半导体衬底上形成第一导电类型外延层和n个第二导电类型区，第二导电类型区之间的第一导电类型外延层与第二导电类型区沿水平方向交替排列形成超结结构；在超结结构的第二导电类型区上刻蚀沟槽，在沟槽内的栅极氧化层上填充栅极材料形成沟槽栅极，在沟槽之间的平面上的栅极氧化层形成平面栅极，并在沟槽栅极上形成源极，能够获得兼有平面栅极和沟槽栅极的超结功率MOSFET，其中沟槽栅极连接源极，能够：减少超结外延层的导通电阻和层数；该MOSFET具有超低电容，可增加开关速度，且具有更加优化的FOM。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet 制备 方法 | ||
【主权项】：
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