[发明专利]一种制备SiC纳米线场效应晶体管及光电探测装置的方法在审
| 申请号： | 202110504781.8 | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN113224207A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 韩斌;刘嘉龙;任静娜;王光辉;张文斌;景锐;刘劭洁;王豆;穆涵香;尉国栋;马淑芳;许并社 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/04;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78;H01L31/0312;H01L31/0352;H01L31/09;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 王晶 |
| 地址： | 710021 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种制备SiC纳米线场效应晶体管及光电探测装置的方法，包括以下步骤；(1)制备SiC纳米线的分散溶液；(2)将步骤(1)得到的溶液放入超声波清洗仪中进行超声分散；(3)清洗硅片；(4)干燥硅片；(5)在步骤(4)干燥后的硅片表面用移液枪滴一滴步骤(2)得到的SiC纳米线分散溶液，再放入真空干燥箱烘干表面水分，找到单根SiC纳米线的样品；(6)将步骤(5)中烘干后的硅片放入FIB设备中，选取SiC纳米线；(7)用聚焦离子束沉积技术在步骤(6)得到的SiC纳米线两端分别制作源漏电极；(8)在硅片背面贴一片Cu箔作为背栅电极，得到SiC纳米线场效应晶体管及光电探测装置。具有制备工艺简单，电极成膜质量更好，器件性能更加稳定的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 sic 纳米 场效应 晶体管 光电 探测 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
