[发明专利]双重图形工艺减少光刻胶中毒的方法在审
| 申请号： | 202110504900.X | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN113394080A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 魏想 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双重图形工艺减少光刻胶中毒的方法，包括以下步骤：按设计流片流程依次沉积第一NDC层、TEOS层、ULK层、第二NDC层、第一NFDARC层、TIN层和第二NFDARC层；双重硬掩膜曝光，第一重通孔曝光刻蚀,使第二NDC层裸露在第一重通孔侧壁；执行硅烷等离子体处理；执行后续设计流片流程。本发明通过对第一重通孔刻蚀后裸露的掺氮碳化硅薄膜做后处理来获取氮组分更稳定的掺氮碳化硅薄膜从而减少光刻胶中毒，使可游离活性氮组分与硅自由基结合生成硅氮键合的较为稳定的氮化硅成份分布于掺氮碳化硅薄膜内部与表面，进而有效地抑制掺氮碳化硅中活性氮组分的扩散，从而可减小光刻胶中毒现象。本发明能提高图形定义的准确性,使器件能满足设计要求，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 双重 图形 工艺 减少 光刻 中毒 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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