[发明专利]碳纳米管超宽带光电探测器及其制备方法有效
申请号: | 202110505645.0 | 申请日: | 2021-05-10 |
公开(公告)号: | CN113284970B | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 刘宇;曹阳;黄峰 | 申请(专利权)人: | 福州大学;北京信息科技大学 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/028;H01L31/0288;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 丘鸿超;蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提出一种碳纳米管超宽带光电探测器及其制备方法,利用碳纳米管薄膜与功函数不同的两种金属复合,分别对碳纳米管实现p掺杂和n掺杂。碳纳米管薄膜可以实现从紫外到太赫兹波段的超宽带光吸收;悬空结构可以减小热耗散;金属的附着可以减缓热传导,提高薄膜温度;掺杂区域的存在又可以有效地将热能转化成光电压。最终可以实现从紫外光到太赫兹波段的高性能、自供电的超宽带快速光电探测。 | ||
搜索关键词: | 纳米 宽带 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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