[发明专利]一种制备黑硅的方法及装置有效

专利信息
申请号: 202110505974.5 申请日: 2021-05-10
公开(公告)号: CN112993089B 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 王雪辉;陈航;冯新康 申请(专利权)人: 武汉华工激光工程有限责任公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;B23K26/352;H01L31/0236;H01L31/028
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 徐瑛
地址: 430223 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开一种制备黑硅的方法及装置,密闭气体腔上方设激光通光口用于激光射入,设真空抽气口用于抽真空,设气体输入口用于通入气体,设抽尘输出口用于将含有粉尘的气体抽出,气体输入口、抽尘输出口及外循环管道构成循环通道,并于外循环管道上设置粉尘过滤装置,对抽尘输出口的气体进行粉尘过滤;将硅片置于密闭气体腔内,抽真空并通入气体后,开启循环,启动激光器,使激光聚焦在硅片表面或上方,激光与硅片和气体产生相互作用,在硅片表面形成尖锥状微结构及S原子掺杂;本发明通过调节光斑横纵向搭接率、光斑直径及激光重复频率来调整硅片的蚀刻效率,使得既满足硅材料熔融对光斑能量密度的要求,又满足黑硅产业化对刻蚀效率的要求。
搜索关键词: 一种 制备 方法 装置
【主权项】:
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