[发明专利]一种掺杂型钛酸锶半导体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110507188.9 | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN113274995B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 刘乐全;崔记伟;姜韶堃;杨昕旻 | 申请（专利权）人： | 天津大学;中国船舶重工集团公司第七一八研究所 |
| 主分类号： | B01J23/02 | 分类号： | B01J23/02;C01B3/04;C01G23/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 潘俊达 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种掺杂型钛酸锶半导体材料及其制备方法，包括钛酸锶，所述钛酸锶掺杂有锆或者锆和铝，所述掺杂型钛酸锶半导体材料用于光催化水分解反应中。相比于现有技术，本发明提供的掺杂型钛酸锶半导体材料掺入了锆或者锆和铝进行改进，共掺杂增强了材料在可见光范围内吸收，提高了光子利用率；同时，掺杂之后减少了三价钛离子的数量，使缺陷的浓度减少，降低了载流子复合率，进而显著提升了光催化水分解性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 型钛酸锶 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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