[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110508199.9 | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN113690198A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 玉利健;樱井大辅;糸井清一 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/48;H01L23/498;H01L21/56;G01B7/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 柯瑞京 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置(200)具备：第1基板，具有第1端面和与所述第1端面相反侧的第2端面；多个第1电极，设置在所述第1端面；第2电极，设置在所述第2端面，与贴合在所述第2端面的第2基板的电极电连接；内部布线，设置在所述第1基板的内部，与所述第2电极电连接；多个第3电极，设置在所述第1基板的内部，将所述第1电极和所述内部布线电连接；和应变传感器，设置在所述第1基板的内部，测定在所述第1基板内产生的应变，所述第3电极的线膨胀系数大于所述第1基板的线膨胀系数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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