[发明专利]一种具有氮极性面n型电子阻挡层的发光二极管有效
| 申请号： | 202110509350.0 | 申请日： | 2021-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113257968B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 张雄;徐珅禹;胡国华;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 吴旭 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有氮极性面n型电子阻挡层的发光二极管，由下至上依次包括衬底、氮极性氮化物层、极性反转氮化物层、n型氮化物欧姆接触层、n型氮极性面电子阻挡层、非掺杂超晶格结构层、多量子阱有源层、p型氮化物欧姆接触层。在n型氮化物欧姆接触层和p型氮化物欧姆接触层上分别设置n型电极和p型电极。本发明所提供的具有氮极性面的n型电子阻挡层，能够从空间上限制电子进入有源区的数量，并且由于移除了传统的p型掺杂电子阻挡层，所以能够增加了空穴的注入率，使空穴与电子注入有源区的数量保持在均衡的水平，可提高有源区电子与空穴辐射复合发光的概率，从而提高发光二极管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 极性 电子 阻挡 发光二极管 | ||
【主权项】：
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