[发明专利]多通道的NAND FLASH差错控制方法在审
申请号: | 202110509484.2 | 申请日: | 2021-05-10 |
公开(公告)号: | CN113241110A | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 濮建福;潘乐乐;李金;杨津浦;林闽佳 | 申请(专利权)人: | 上海航天测控通信研究所 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42;G11C16/10 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 201109 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供了一种基于BCH及类RAID技术的多通道NAND FLASH差错控制方法,包括:对输入数据按通道数N进行分组后进行交织;将N通道的数据按通道进行异或生成校验数据;将校验数据和N组通道数据形成N+1组通道数据分别进行并行加扰;将N+1组数据分别进行BCH并行编码,数据按FLASH的页长进行分块,编码后存储在存储阵列中,存储阵列由N+1颗FLASH存储芯片组成,与N+1组数据一一对应;读取存储阵列中N+1组数,分别进行并行BCH译码,并给出译码“是否成功”状态;将N+1组数据分别进行并行解扰;根据译码“是否成功”状态,对N+1组数据进行容错控制;将完成差错控制的数据进行解交织恢复。本发明从抑制、纠错、替换三个维度采取设计措施降低了NAND FLASH的误码率。 | ||
搜索关键词: | 通道 nand flash 差错 控制 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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