[发明专利]多通道的NAND FLASH差错控制方法在审

专利信息
申请号: 202110509484.2 申请日: 2021-05-10
公开(公告)号: CN113241110A 公开(公告)日: 2021-08-10
发明(设计)人: 濮建福;潘乐乐;李金;杨津浦;林闽佳 申请(专利权)人: 上海航天测控通信研究所
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G11C16/10
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 胡晶
地址: 201109 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供了一种基于BCH及类RAID技术的多通道NAND FLASH差错控制方法,包括:对输入数据按通道数N进行分组后进行交织;将N通道的数据按通道进行异或生成校验数据;将校验数据和N组通道数据形成N+1组通道数据分别进行并行加扰;将N+1组数据分别进行BCH并行编码,数据按FLASH的页长进行分块,编码后存储在存储阵列中,存储阵列由N+1颗FLASH存储芯片组成,与N+1组数据一一对应;读取存储阵列中N+1组数,分别进行并行BCH译码,并给出译码“是否成功”状态;将N+1组数据分别进行并行解扰;根据译码“是否成功”状态,对N+1组数据进行容错控制;将完成差错控制的数据进行解交织恢复。本发明从抑制、纠错、替换三个维度采取设计措施降低了NAND FLASH的误码率。
搜索关键词: 通道 nand flash 差错 控制 方法
【主权项】:
暂无信息
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