[发明专利]梳型栅结构HEMT射频器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110511019.2 | 申请日： | 2021-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113257910B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 孙慧卿;丁霄;黄志辉;王鹏霖;李渊;夏晓宇;夏凡;张淼;马建铖;谭秀洋 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919 | 代理人： | 仵乐娟 |
| 地址： | 510630 广东省广州市天*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及梳型栅结构HEMT射频器件及其制备方法，包括依次层叠的AlN缓冲层、Al组分渐变的AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层、源极和漏极、位于源极和漏极之间的梳型栅；梳型栅包括栅头和栅足，栅足包括第一、第二和第三子栅足，沿源极指向漏极的方向上，第一、第二和第三子栅足依次间隔设置于AlGaN层表面，相邻子栅足之间设置空气间隔。该梳型栅结构的设置，减小了栅极电阻，降低了噪声系数，同时提高了增益；栅头与栅足之间没有钝化层介质，相邻栅足之间的间隙为空气，降低了栅极的寄生电容，提高了截止频率；三个栅足分隔开设置，增强了栅极对于沟道的控制，跨导随栅源电压变化更加稳定，明显提高线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 梳型栅 结构 hemt 射频 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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