[发明专利]一种集成无源器件的半导体装置及方法在审
| 申请号： | 202110511063.3 | 申请日： | 2021-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113257842A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 陈立均;代文亮;李苏萍 | 申请（专利权）人： | 上海芯波电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/13 | 分类号： | H01L27/13;H01L49/02;H01L21/84;H01L23/485;H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海乐泓专利代理事务所(普通合伙) 31385 | 代理人： | 王瑞 |
| 地址： | 200000 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种集成无源器件的半导体装置，包括：衬底；至少一个集成无源装置，其包括形成于衬底表面的电阻、电容或电感中的一种或多个；重布线层，其在衬底设置至少一个集成无源装置的表面设置；其中，重布线层包括至少一层金属层以形成层绕制电感。本发明通过将现有的半导体集成无源器件工艺与封装RDL(重布线层)工艺相结合，突破了集成电路成熟工艺厚金属层有限，且金属厚度有限的限制，与RDL工艺的结合增加1‑3层的可布线金属层并且金属厚度可较厚，形成了更为丰富的叠层结构，从而实现层绕制电感及连接布线功能，提升了无源集成器件的设计灵活性，提高了集成无源器件的性能和集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 无源 器件 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海芯波电子科技有限公司，未经上海芯波电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110511063.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
