[发明专利]一种纳米双相高熵合金薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202110512506.0 | 申请日： | 2021-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113235051B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 姜欣;李延涛;曾小康;刘茂;冷永祥 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/35;C22C30/02 |
| 代理公司： | 北京中索知识产权代理有限公司 11640 | 代理人： | 唐亭 |
| 地址： | 610000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米双相高熵合金薄膜的制备方法，该制备方法包括基材前处理及高功率脉冲磁控溅射沉积两个步骤。采用高功率脉冲磁控溅射技术，以包括金属Cu在内的五种金属元素的拼接靶为靶材，以高纯Ar为工作气体，对前处理后的基体施加负偏压，对拼接靶施加靶电压，在基体表面沉积得到包含FCC基体相和富铜BCC纳米相的纳米双相高熵合金薄膜。该薄膜既体现了高熵合金薄膜高的固溶强化的特点，同时通过富铜相的析出引入大量相界面，使其具有界面强化机制。其硬度最高达13GPa，并且由于具有优异的韧性，对在高承载、高摩擦环境下作业的基体能起到良好的防护作用，具有很好的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 双相高熵 合金 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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