[发明专利]一种用于半导体工艺腔室的加热装置和半导体设备在审
| 申请号： | 202110512848.2 | 申请日： | 2021-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113539893A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 夏俊涵 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C30B25/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体工艺腔室的加热装置和半导体设备，其中加热装置设置于半导体工艺腔室上方，该加热装置包括：多个加热元件，多个加热元件在同一平面上；反射屏组件，设置于加热元件的上方，反射屏组件用于将加热元件朝向反射屏组件发出的光进行反射后照向工艺腔室，反射屏组件包括固定部和可动部；调整机构，调整机构与可动部连接，且调整机构能够调整可动部与加热元件之间的相对位置，以调节半导体工艺腔室中不同区域位置的温度。本发明提高了温场的温度可调性，调节待加工件不同区域的温度，从而能够使温场的温度更均匀，或在温场的不同区域实现不同的温度，实现不同电阻率需求的外延片的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 工艺 加热 装置 半导体设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
